Elektronik, Halbleiterphysik, Sammelbegriff für diverse Technologien, die die Prozessierung von Silicium mit dem Ziel der Herstellung (elektronischer) Bauelemente auf Siliciumbasis beschreiben. Hierunter fallen Kristallzüchtung und Kristallwachstum, Oberflächenmodifizierung, Ätzverfahren, Dotierung und Kontaktierung (Metall-Halbleiter-Kontakt, Halbleiter-Isolator-Grenzflächen, Heterostrukturen, Silicium-auf-Isolator-Technik), Metallisierung (Metallschichten), Oxidation und Lithographie (Elektronenlithographie, Röntgenstrahllithographie). Seit der Einführung der ersten integrierten Schaltungen in den 60er Jahren hat sich die Siliciumtechnik ständig weiterentwickelt. Nach der Definition der Very Large Scale Integration (VLSI) mit etwa 100 000 Bauelementen pro Chip (Wafer) spricht man heute von der Ultra Large Scale Integration (ULSI), bei der bereits fast 1 Mio. Bauelemente auf einem Chip untergebracht werden können. Hierbei werden minimale Strukturgrössen von bis hinab zu 200 nm realisiert.
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