Optik, Herstellungsverfahren für Oberflächenstrukturen, z.B. für integrierte Schaltungen im Sub-Mikrometerbereich, bei dem mit Hilfe von gebündelten Strahlen Strukturen in eine Trägersubstanz »geschrieben« werden. Bei der Elektronenlithographie können mit Elektronenstrahlen von typisch 5-50 keV auf einer elektronenempfindlichen Lackschicht (die z.B. auf einen Roh-Chip aufgebracht wurde) Strukturen von 0,1 mm Tiefe oder weniger abgebildet werden. Auflösungsbeschränkend wirken der sog. Proximity-Effekt durch Rückstreuung der Elektronen am Halbleitermaterial oder Strahlverzerrungen aufgrund elektrostatischer Abstossung (Boersch-Effekt). Für Röntgenstrahllithographie wird statt des Elektronenstrahls langwellige Röntgenstrahlung z.B. eines Synchrotrons benutzt.
Lithographie: Röntgenlithographie zur Herstellung von Mikrostrukturen (Prinzipbild): Röntgenstrahlen fallen durch eine Maske auf die Lackschicht des Substrats, die an den entsprechenden Stellen »belichtet« wird. So gelangt das Negativ der Maske als Struktur in die Lackschicht. An diesen Stellen kann mit einem geeigneten Lösungsmittel der Lack entfernt und mit dem gewünschten Material (z.B. Aluminium) ersetzt werden.
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