Halbleiterbauelement mit zwei Anschlüssen (Anode, Katode) und einer stark von der Richtung des Stromflusses abhängigen Leitfähig keit (Diode). Man unterscheidet einen Sperrbereich (hochohmiger Bereich) und einen Durchlaßbereich (niederohmiger Bereich). Im Sperrbereich fließt auch bei Erhöhung der Spannung nur ein minimaler Strom (Sperrstrom). Dies gilt bis zu einer maximal zulässigen Sperrspannung tSpmax. Oberhalb dieser Sperrspannung kommt es bei der Durch-bruchspannung UD entweder zum Auftreten des Avalanche-Effekts oder zur Zerstörung der H. (elektrischer Durchschlag). Im Durchlaßbereich dagegen steigt mit steigender Spannung auch der Strom an. Als Halbleiterwerkstoff werden hauptsächlich Silicium (Si) und für Höchstfrequenz-Dioden auch r Galliumarsenid (GaAs) eingesetzt. Diode, Halbleiterventil, ein Halbleiterbauelement mit zwei Elektroden, das als Richtleiter oder Gleichrichter, als veränderliche Impedanz, zur Messung, zum Nachweis oder zum Erzeugen von Strahlung, als Schalter, in Oszillatorschaltungen usw. verwendet wird. Halbleiterdioden lassen sich nach verschiedenen Gesichtspunkten unterscheiden, z.B. nach ihrem Aufbau (Spitzendiode, Schottky-Diode, pin-Diode) oder nach der Ausnutzung bestimmter Effekte oder der Art der Anwendung (Tunneldiode, Backward-Diode, Photodiode, LED, Laserdiode, Avalanche-Diode, Z-Diode, Gunn-Diode).
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