Speicher, dessen Inhalt bei Ausfall oder Abschalten seiner Versorgungsspannung gar nicht oder erst nach Jahren verlorengeht. Die Nichtflüchtigkeit der Information wird bei den Speichern, die nicht auf Halbleiterbasis beruhen (Lochbandspeicher, Magnetschichtspeicher, Kernspeicher), dadurch gewährleistet, daß das Speichermedium keine elektronische Schaltung und somit auch nicht von der Versorgungsspannung abhängig ist. Bei den nichtflüchtigen Halbleiterspeichern (ROM, PROM, EPROM, E2PROM und als Sonderfall NOVRAM) wird die Nichtflüchtigkeit entweder durch eine einmalige nichtlöschbare Speicherung, wie bei den ROM und PROM, erreicht oder durch den Einsatz von Speichertransistoren mit einem Floating Gate (EPROM, E2PROM), das in der Lage ist, den Inhalt ohne Versorgungsspannung länger als 10 Jahre zu speichern.
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