Speicher, dessen Inhalt bei Ausfall oder Abschalten der Versorgungsspannung verlorengeht. Diese meist unerwünschte Flüchtigkeit der gespeicherten Information tritt nur bei einigen Halbleiterspeichern aufgrund des Aufbaus ihrer Speicherzellen auf. Zu den f. S. gehören RAM, Schieberegister und Assoziativspeicher. Sie haben jedoch gegenüber den nichtflüchtigen Halbleiterspeichern (Speicher, nichtflüchtiger) den Vorteil einer problemlosen Änderung des gesamten Speicherinhalts und des meist einfacheren Aufbaus ihrer Speicherzellen, wodurch höhere Speicherkapazitäten erreicht werden können. Erste Versuche, Halbleiterspeicher mit den Eigenschaften eines RAM nichtflüchtig zu gestalten, führten zum NOVRAM.
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