Engl. Abk. für erasable programmable read on-ly memory, löschbarer, programmierbarer Nur-Lese-Speicher. Mit UV-Licht löschbarer Halbleiter-Festwertspeicher. Die Speicherzelle eines modernen E. besteht aus einem Transistor mit einem Floating Gate, das zur Ladungsspeiche-rung dient und mittels UV-Bestrahlung (Strahlung, optische) entladen werden kann.
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