Techniklexikon

Projektionsbelichtung

Verfahren des r Belichtens im Prozeß der Fotolithografie, bei dem die Schablone durch eine Linsen- oder Spiegeloptik auf dem mit Fotolack beschichteten Wafer abge bildet wird. Durch die räumliche Trennung von Wafer und Schablone wird das Entstehen von Defekten in der Lackmaske und auf der Schablone vermieden - der Hauptgrund für das Ablösen des Kontakt- und Abstandsbe-lichtens durch die P. Sehr verbreitet ist die spiegeloptische Scanning-l:l-P. (scan, abtasten) und die linsenoptische X:l-P. (X = 4... 10). Bei ersterem strahlt ein schmales sichelförmiges Lichtband durch eine Originalschablone auf den Wafer, wobei Schablone und Wafer synchron bewegt werden. Bei der X:l-P. kann nur ein kleines Bildfeld verzerrungsfrei übertragen werden. Daher wird der Wafer nach dem Step-And-Repeat-Verfahren mit der Zwischenschablone (Schablone) belichtet. Die X:l-P. hat Vorteile hinsichtlich der minimalen übertragbaren Strukturgröße und der weniger aufwendigen Schablonenherstellung. Das Justieren erfolgt bei beiden Verfahren automatisiert mit Licht größerer Wellenlänge als das Belichten. Laser-Wegmeßsysteme steuern die Waferbewegung.