Teilschritt der Lithografie, bei dem ausge wählte Gebiete einesResists energiereicher Strahlung ausgesetzt werden. Die Teilschritte B. und Justieren werden nacheinander in einem Gerät, z. B. einer Justier- und Belichtungseinrichtung, (JUB) durchgeführt. Das B. erfolgt mit Hilfe einer Schablone (Fotolithografie) oder durch einen gesteuerten Teilchenstrahl (Elektro-nenstrahl-Lithografie). Die Strahlung führt zu einer Veränderung der chemischen Struktur des Resists (z. B. durch Polymerisation), die beim Entwickeln ausgenutzt wird.
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