Ältestes und gegenwärtig am meisten genutztes Verfahren der Lithografie mit Hilfe von Licht. Die Hauptbestandteile der F. sind das Herstellen der Lackmaske und der Materialabtrag durch Ätzverfahren oder Abhebetechnik. Das Herstellen der Lackmaske beginnt mit dem Reinigen der Waferoberflä-che und dem Tempern zum Entfernen von adsorbiertem Wasser, das die Lackhaftung verringert. Zum Beschichten mit Fotolack wird meist ein Schleuderverfahren eingesetzt. Nach dem Tempern (Trocknen) der Lackschicht erfolgt das Justieren und Belichten in einer JUB. Beim Entwickeln entsteht die Lackmaske, ein Abbild der Schablone. Der folgende Temperschritt erhöht die Beständigkeit der Lackmaske beim Materialabtrag durch Ätzverfahren. Nach dem Ätzvorgang muß der Lack durch z. B. organische Lösungsmittel oder durch Trockenätzen im Sauerstoffplasma wieder entfernt werden. Bei den meistverwendeten Wellenlängen um 400 nm sind minimale Strukturgrößen von etwa 1 m realisierbar. Verfahren mit kürzeren Wellenlängen (200 nm UV-Licht, Röntgen- und Teilchenstrahlen) gewinnen an Bedeutung.
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