Maske, die im Prozeß der Lithografie als Abbild der Schablone durch Beiich ten und Entwickeln einer auf den Wafer aufgetragenen Resistschicht (Resist) entsteht. Die L. ist eine Haftmaske und dient entweder zur Strukturierung des Wafers oder ist Hilfsmaske bei der Herstellung einer Maske aus widerstandsfähigerem Material (z. B. Siliciumnitrid). Als Maske wird sie bei vielen Ätzverfahren, bei der Abhebetechnik und zum Teil bei der Ionenimplantation eingesetzt.
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