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Lateralstruktur

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Irene Kramer-Schwenk

Struktureller Aufbau einer monolithisch integrierten Schaltung (75, monolithische) parallel zur Chipoberfläche. Die L. beinhaltet Form und Größe der integrierten • Funktionselemente sowie der Leitbahnen und umfaßt praktisch die gesamte Oberfläche eines Chips. Sie wird weitgehend durch die Strukturierung, insbesondere durch die Schablonen für die Fotolithografie festgelegt (Zyklus I). Während die Abmessungen der einzelnen Funktionselemente üblicherweise etwa 5 bis 50 m betragen, werden moderne LSI-und VLSI-Schaltungen mit Streifenbreiten bis hinunter zu 1 m - teilweise sogar noch darunter - hergestellt, um hohe Packungsdichten erzielen zu können (Strukturgröße, minimale). Durch Verkleinerung der L. (Skalierung) können darüber hinaus auch die dynamischen Eigenschaften der Einzeltransistoren bzw. der Logikschaltungen erheblich verbessert werden (wie Verstärkungs-Bandbreite-Produkt, Gatter-Verzögerungszeit usw.). Dies gilt insbesondere für die Unipolartechnik, da bei Feldeffekttransistoren diese Parameter hauptsächlich von der Transistorgeometrie abhängen.

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