As, Element der Hauptgruppe V des Periodensystems, Ordnungszahl 33. Arsen besitzt die Elektronenkonfiguration [Ar]3d104s24p3 und besteht in der Natur zu 100% aus dem Isotop . Technisch wird Arsen in intermetallischen Verbindungen mit Aluminium, Gallium und Indium für III-V-Halbleiter verwendet, z.B. GaAs1-xPx für Leuchtdioden und Infrarotstrahler. Für GaAs beträgt die Energielücke DE = 138 kJ mol-1 (Emission von infraroter Strahlung mit l = 870nm). Bei x = 0,4 ist DE = 184 kJ mol-1 (rot, l = 650nm) und bei x > 0,4 ist DE = 218 kJ mol-1 (grün, l = 550nm). Halbleiterlaser mit der Struktur GaAs-AlxGa1-xAs arbeiten kontinuierlich bei mindestens 3000K und emittieren Strahlung im sichtbaren und dem nahen infraroten Bereich. Der Halbleiter InAs wird für Leuchtdioden und Hall-Generatoren verwendet. [AFM]
Arsen 1: Wichtige Isotope.
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Isotop |
bottom:solid black 1.0pt;border-right:none;
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Natürliche Häufigkeit [%] |
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Atom- masse |
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Halbwerts- zeit T1/2 |
bottom-alt:
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Verwendung |
73As |
0 |
72,923827 |
80,3 d |
Tracer |
74As |
0 |
73,923827 |
17,78 d |
Tracer |
75As |
100 |
74,921594 |
stabil |
NMR |
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76As |
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0 |
bottom:solid black 1.0pt;
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75,922393 |
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26,3 h |
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Tracer |
Arsen 2: Allgemeine, chemische und festkörperphysikalische Eigenschaften.
bottom:none;border-right:none;
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Ordnungszahl |
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33 |
Relative Atommasse (12C = 12,0000) |
74,92159 |
Dichte (293 K) [gcm-3] |
a-As: 5,73 b-As: 4,70 |
Molvolumen [cm3] |
a-As: 12,95 b-As: 15,90 |
Oxidationszahlen |
AsIII, AsV |
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Photoelektrische Arbeit [eV] |
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3,75 |
Kristallstruktur a-As, rhomboedrisch b-As (gelb), hexagonal, amorph grau |
Gitterkonstante [nm] a = 0,41318; a = 54°10´ a = 0,3760; c
= 0,010548 |
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Raumgruppe a-As |
bottom-alt:
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R3m |
Arsen 3: Thermische und elektromagnetische Eigenschaften.
bottom:none;border-right:none;
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Siedetemperatur (sublimiert) [K] |
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886 |
Schmelztemperatur (a-As) (28 atm) [K] |
1090 |
Siedeenthalpie [kJmol-1] |
31,9 |
Schmelzenthalpie [kJmol-1] |
27,7 |
Wärmeleitfähigkeit (a-As) [Wm-1K-1] |
50,0 |
Spezifische Wärme [kJkg-1K-1] |
328 |
Spezifischer Widerstand [10-8Wm] |
33,3 |
Übergangstemperatur Supraleiter (12 MPa) [K] |
0,5 |
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Spezifische magnetische Suszeptibilität a-As[10-10kg-1m3] b-As [10-9kg-1m3] |
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-9,17 -3,97 |
Arsen 4: Atom- und kernphysikalische Eigenschaften.
bottom:none;border-right:none;
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Termsymbol |
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4S3/2 |
1. Ionisierungsenergie [eV] |
9,82 |
2. Ionisierungsenergie [eV] |
18,589 |
Elektronenaffinität [eV] |
0,81 |
Elektronegativität (Pauling) |
2,18 |
effektive Kernladung (Slater) |
6,30 |
Magnetisches Moment [mB] |
3,873 |
Ionenradius (As5+) [nm] |
0,046 |
Kovalenzradius [nm] |
0,121 |
v.d. Waals-Radius [nm] |
0,200 |
Atomradius [nm] |
0,125 |
Kernspin (75As) |
3/2 |
Magnetisches Moment (75As) [mK] |
1,439 |
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Einfangquerschnitt für thermische Neutronen [barn] |
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solid black .75pt;mso-border-right-alt:solid black .75pt;padding:0cm 3.55pt 0cm 3.55pt\'>
4,3 |
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