Substrat in Festkörperschaltungen, das halbisolierende Eigenschaften hat. Einige III-V-Halbleiter, wie Galliumar-senid und Indiumphosphid, haben bei Raumtemperatur eine so geringe Konzentration der Ladungsträger, daß sie bei Eigenleitung einen spezifischen Widerstand zwischen 106 und 108ßcm aufweisen, d.h. wie ein elektrischer Isolator wirken. In manchen Fällen können noch vorhandene Donatoren zwar eine gewisse Elektronenleitung verursachen, diese lassen sich jedoch durch Zugabe bestimmter » Dotanten, z. B. Chrom oder Eisen, kompensieren. S. S. verwendet man für bestimmte diskrete und integrierte Bauelemente, die im Höchstfrequenzbereich eingesetzt werden (Mikrowellentechnik), weil sich dadurch störende Kapazitäten (parasitäre Kapazität) erheblich reduzieren lassen. Auf diese Weise werden z. B. die Höchstfrequenzeigenschaf-ten von GaAs-FET, MMIC, IOEC und Gigabit-Logikschaltungen auf GaAs-Basis wesentlich verbessert.
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