Verfahren der r Oxydation in einem Elektro lyten, unterstützt durch ein elektrisches Feld. Bei diesem Niedertemperaturverfahren (unter 400 °C) befinden sich der Wafer als positive Elektrode (Anode) und eine Gegenelektrode in einem Elektrolyten. Die a. O. erfolgt mit Hilfe von Ionen aus dem flüssigen bzw. gasförmigen (Gasentladung in Sauerstoff - Plasmaoxydation) Elektrolyten, deren Bewegung durch das elektrische Feld unterstützt wird. In der Siliciumtechnik hat dieses Verfahren geringe Bedeutung, da die Eigenschaften des so erzeugten Siliciumdioxids meist schlechter als die des durch thermische Oxydation hergestellten sind.
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