Engl. laser annealing. Verfahren zum Aus heilen der bei der Ionenimplantation ent standenen Strahlenschäden mittels Laserbe Strahlung. Entsprechend den angewendeten Bestrahlungsenergien und -zeiten werden verschiedene Varianten des L. unterschieden. Im allgemeinen ist eine vollständige Aktivierung der Dotanten erreichbar, auch wenn die Dotantenkonzentration die thermische Löslichkeit (Diffusion) überschreitet. Bei Bestrahlungszeiten von I0"3s und Bestrahlungsenergien um lOOJcm 2 werden die Dotanten am geringsten umverteilt, d. h., das Implantationsprofil bleibt erhalten. Solche Verfahren sind daher von großer Bedeutung bei der Verkleinerung der BauelementeLaserabmessungen (VLSI). Ähnliche Effekte wie beim L. erreicht man mit Hilfe von Elektronenstrahlern und Blitzlampen.
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