Techniklexikon

indirekte Halbleiter

Halbleiter mit indirekter Bandlücke (Energielücke), d.h. mit indirektem optischem Absorptionsprozess: Die Leitungsbandkante (Bändermodell) hat bei derartigen Halbleitern ihre Energieminima nicht bei dem Wellenvektor-Wert k, an dem die Valenzbandkante ihr Energiemaximum hat. Dies bedeutet, dass optische Absorptionsprozesse hierbei stets die Beteiligung von Phononen erfordern: Die Absorption eines Photons mit der Energie w ist hier stets verbunden mit der Absorption (oder Emission) eines Phonons mit der Energie W. Damit gilt also für einen solchen indirekten optischen Übergang eines Elektrons w = E_g + W, wobei E_g die Bandlücke ist. Die hier auftretenden Phononenergien (typische Grössenordnung 10^-2 eV) sind i.a. wesentlich kleiner als die Bandlücke (typische Grössenordnung 1 eV).