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CDI-Verfahren

Autor
Autor:
Hermann Loring

CDI-Verfahren. Bipolartransistor mit CDI p-Substrat; 2 begrabene n"-Kollektorschicht; 3 p-Epitaxieschicht (Insel); 4 n’-Kollektor-Diffu-sionsgebiete; 5 Passivierung Engl. Abk. für collector diffusion Isolation, Isolation durch Kollektor diffusion.

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