Engl. bond, verbinden. Befestigen der Chips im Gehäuse bzw. auf einem Chipträger und Herstellen der elektrischen Verbindungen zwischen Chip und Gehäuse im Zyklus II. Um die IS in elektronischen Geräten anwenden zu können, muß sie in ein Gehäuse oder auf einen Träger (Hybrid-Technik) montiert werden. Die meisten IS werden auf einen sog. Trägerstreifen gebondet (Chipbonden) und verkappt (Verkappen). Die elektrischen Verbindungen mit anderen Bauelementen auf dem Träger bzw. mit den zum Löten verwendbaren Stiften (Pins) des Trägerstreifens werden durch Drahtbonden hergestellt. Für beide Bondverfahren werden zum größten Teil automatische und vollautomatische (Kontrolle durch rechnergekoppelte Fernsehkamera) Bonder eingesetzt. Bei den technologisch schwieriger zu beherrschenden Simultanbondverfahren werden sämtliche Drahtbondungen und meist auch die Chipbondung gleichzeitig ausgeführt. Beispiele dafür sind die Beam-Lead-Technik und die Flip-Chip-Technik. Bei letzterer werden auf der Bondinsel sog. Bondhügel erzeugt. Beim B. entsteht der Kontakt zum Träger durch Aufschmelzen der Berührungsstellen.
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