Oberflächen- und Grenzflächenphysik, der Tiefenbereich einer Probe, in der auf Grund von Untersuchungen mit Teilchenstrahlen noch das Vorhandensein zweier identischer Stoffe nachgewiesen werden kann. Sie hängt ab von der Energieauflösung und dem Kippwinkel des Targets zum Teilchenstrahl. Der Winkel zusammen mit der Art der Projektilionen und ihrem spezifischen Energieverlust im Target bestimmen zudem die maximale Analysetiefe. So beträgt beispielsweise die maximale Analysetiefe von Wasserstoff in Aluminium bei Verwendung von Neonionen und einem Kippwinkel von 20° 510 nm bei einer Tiefenauflösung von 30 nm. Sie wird etwa in der Teilchenphysik zur Untersuchung von Störatomen in Targets oder in der Halbleitertechnik zur Untersuchung der Dotierung eingesetzt. (Kernreaktionsanalyse)
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