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Störstellenreserve

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Petra Nordinghaus-Martin

Festkörperphysik, bei einem dotierten Halbleiter derjenige Temperaturbereich, in dem nur ein Teil der Störstellen ionisiert ist und somit einige freie Ladungsträger vorhanden sind. Die Ladungsträgerdichte steigt an gemäss Störstellenreserve. Hierdurch setzt auch elektrische Leitfähigkeit ein, die mit steigender Temperatur zunächst stark zunimmt. Da mit steigender Temperatur die Beweglichkeit auf Grund thermischer Streuung abnimmt, durchläuft die Leitfähigkeit ein Maximum, das je nach Dotierung und Bandlücke bei ca. 50-100 K liegt.

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