Form de Hybrid-Technik, bei der mehrere gehäuselose Halbleiterschaltungen (Chip) mit jeweils separatem Substrat auf einem gemeinsamen Träger zu einer größeren Funktionseinheit, der Hybrid-IS, verbunden werden. Der gemeinsame Träger kann beliebiger Art sein, vom einfachen Boden, z. B. eines Transistor- oder IS-Gehäuses, bis hin zu kompliziert aufgebauten Mehrschichtsystemen. Die einzelnen als Chips vorliegenden Teilschaltungen werden auf dem Träger befestigt und untereinander sowie mit den Außenanschlüssen des Trägers durch Bonddrähte (Bonden) verbunden. Man erhält so eine Hybrid-IS, deren Integrationsgrad die Summe der Integrationsgrade der einzelnen Teilschaltungen ist. Mit Hilfe der M. kann man eine gute Anpassung der Eigenschaften der Hy-brid-IS an die technischen Forderungen der Anwender auch für komplexere Schaltungen erreichen, ohne eine monolithische, kundenspezifische Schaltung (IS, monolithische; IS, kundenspezifische) entwickeln zu müssen. Dies ist besonders bei geringem Bedarf (kleiner 1000 Stück) von Bedeutung.
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