Funktionselement in monolithischen IS (IS, monolithische), das zur Ladungsspei cherung dient. In monolithischen IS finden hauptsächlich zwei unterschiedliche Arten von Kondensatoren Verwendung: Sperrschichtkondensatoren, die auf der Ausnutzung der Sperrschichtkapazität eines pn-Übergangs beruhen, und M IS-Kondensatoren, d. h. Metall-Isolator-Halbleiteranordnungen. pn-Sperrschichtkondensatoren werden praktisch nur in der integrierten Bipolartechnik angewendet. In MIS-Kondensatoren wird die bei der MIS-Technik bzw. MOS-Technik ohnehin vorhandene Isolatorschicht für das Gate (Siliciumdioxid undoder Siliciumnitrid) als Dielektrikum genutzt. Da sowohl bei bipolaren als auch bei unipolaren IS die höchsten Anforderungen an die Transistorherstellung gestellt werden, fertigt man i. K. unter Nutzung der dafür notwendigen technologischen Schritte, was ihre Kennwerte einschränkt. Beide Kondensatorarten erfordern unverhältnismäßig viel Substratfläche und setzen die Packungsdichte somit erheblich herab. Hinzu kommt, daß in jedem Fall unerwünschte parasitäre Elemente entstehen (Bauelement, parasitäres). Aus diesem Grund wird schon beim Schaltungsentwurf soweit wie möglich auf i. K. verzichtet, nötigenfalls werden lieber kompliziertere Schaltungen in Kauf genommen. In bestimmten DRAM sind i. K. jedoch für die Informationsspeicherung unverzichtbar, z. B. bei der Eintransistor-Speicherzelle.
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