Halbleiter, bei denen Valenzelektronen nach Absorption sehr intensiven Lichts in das Leitungsband angeregt werden und zusammen mit den entstandenen Löchern zu Fermi-Verteilungen in der Nähe der beiden Bandkanten relaxieren. (Bei kleinen Intensitäten und tiefen Temperaturen bilden sich Exzitonen.) Das sich einstellende Quasigleichgewicht wird durch effektive Temperatur und Dichte gekennzeichnet (Elektron-Loch-Plasma). Hochanregungseffekte sind in praktisch allen Halbleitermaterialien nachgewiesen worden. Als Modellsubstanzen gelten Germanium und Silicium (indirekte Energielücke) sowie GaAs und CdS (direkte Energielücke).
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