eine der Schottky-Langmuirschen Raumladungsformel analoge Näherungsformel für die Strom-Spannungs-Kennlinie einer Halbleiterdiode mit dem Abstand Anode-Kathode d, der Beweglichkeit m, der Dielektrizitätskonstanten e, der Stromdichte j und der Spannung U: j » emU2/d3. Die Formel gilt besonders für solche raumladungsbegrenzten Halbleiterströme, bei denen der überwiegende Teil der Ladungsträger aus einer injizierenden Elektrode geliefert wird.
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