Funktionselement in monolithisch integrierten Schaltungen f IS, monolithische), das eine Widerstandscharakteristik aufweist. In sämtlichen IS werden Bauelemente benötigt, die ein (ohmsches) Widerstandsverhalten aufweisen: in Digitalschaltungen (IS, digitale) überwiegend als Lastelemente, in Analogschaltungen (IS, analoge) z. B. als Arbeitswiderstände und Spannungsteiler. Ohmsche Widerstände lassen sich relativ einfach in monolithischen IS über entsprechend dotierte Bahngebiete im Halbleiterblock erzeugen, wobei die minimalen Fertigungstoleranzen zwischen 5 und 25 % liegen (Widerstandsverhältnisse sind auf einem Chip sogar besser als 1 %). Nach solchen Verfahren können jedoch nur Werte zwischen 10 O und 10 kn wirtschaftlich hergestellt werden. Hochohmige Widerstände belegen nämlich die mehrfache Fläche eines integrierten Transistors, verringern die Packungsdichte und damit den erreichbaren Integrationsgrad und sind folglich sehr teuer. Deshalb ist man bestrebt, sowohl in Bipolarschaltungen als auch in Unipolarschaltungen durch geeignete Schaltungsmaßnahmen lransistoren so einzusetzen, daß sie als Widerstände genutzt werden können.
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