Engl. Abk. für vertical MOS transistor oder auch V-groove MOS transistor, Transistor mit vertikaler bzw. V-Graben-MOS-Struktur. MOSFET, der auf Basis des V-ATE-Verfahrens hergestellt wird. V. gibt es sowohl mit lateraler als auch mitvertikaler Stromflußrichtung (VMOS-Technik). Mit Hilfe der V-förmigen Gestaltung des Gatebereichs erreicht man reduzierte Kanallängen (Kurzkanal-Technik) mit konventionellen Mitteln der Fotolithografie. V. zeichnen sich durch hohe Eingangsimpedanz und hohe Grenzfrequenz aus. Das Haupteinsatzgebiet der V. ist derzeitig als diskreter Leistungstransistor (Bauelement, diskretes) mit einem vertikalen Stromfluß. Teilweise werden auch alle diskreten MOSFET mit vertikaler Stromflußrichtung als V. bezeichnet (SIPMOS).
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