Tiefenstruktur. Struktureller Aufbau einer mo nolithisch integrierten Schaltung (IS, mono lithische) senkrecht zur Chipoberfläche. Die V. wird durch den Aufbau der integrierten Funktionselemente unter der Oberfläche des Chips bestimmt und umfaßt üblicherweise eine Tiefe von nur etwa 10 m. Die verbleibenden 90 bis 97 % des gesamten Substrats haben keine elektrische Funktion und dienen lediglich als mechanischer Träger der einzelnen Elemente einer IS. Die V. beinhaltet den Schichtaufbau (Metalle, Isolatoren bzw. Passivierungsschichten) und die durch Diffusion, Implantationsverfahren oder Epitaxie erzeugten Dotierungsgebiete im Halbleiter einschließlich der Isolationsgebiete (Isolationstechnik). Ihre Abmessungen werden demzufolge von Schichtdicken und Diffusionstiefen festgelegt.
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