Oberflächen- und Grenzflächenphysik, übliche Bezeichnung im englischen Sprachraum für grenzflächenaktive Substanzen, die das Benetzungs- oder Kristallwachstumsverhalten an Grenzflächen verändern. Im deutschen Sprachgebrauch steht die Bezeichnung vor allem für Substanzen, die bei Epitaxieprozessen (Ober- und Grenzflächenphysik, Molekularstrahlepitaxie) den Ablauf des Aufwachsprozesses beeinflussen. So kann z.B. durch eine monoatomare Schicht von As oder Sb auf Si ein ebenes Aufwachsen dünner Ge-Schichten erreicht werden, die andernfalls als Inselchen in der sogenannten Stranski-Krastanow-Mode wachsen würden (Stranski-Krastanow-Wachstum). Der Surfactant »schwimmt« dabei auf der Ge-Schicht und wird nicht in den Kristall eingebaut.
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