Techniklexikon

Störstellenerschöpfung

Festkörperphysik, bei einem dotierten Halbleiter derjenige Temperaturbereich, in dem die Störstellenatome zum grössten Teil ionisiert sind, aber noch keine Eigenleitung eingesetzt hat. Dies tritt dann ein, falls  (E_d: Donatorniveau). Die Ladungsträgerdichte ist in diesem Bereich weitgehend unabhängig von der Temperatur und hängt ausschliesslich von der Dotierungsdichte ab,  Mit steigender Temperaturerhöhung sinkt die Fermi-Energie kontinuierlich, bis sie beim Einsetzen der Eigenleitung fast in der Mitte der verbotenen Zone angelangt ist. Die elektrische Leitfähigkeit nimmt auf Grund thermischer Streuung ab.