Durch die Beherrschung der Halbleitertechnologie und -physik bestimmte minimale Größe einer Struktur. Die m. S. wird durch die Leistungsfähigkeit der Geräte und Verfahren der Strukturierung, insbesondere der Lithografie, und die Überdeckungsgenauigkeit zweier Strukturierungsebenen bestimmt. Sie sinkt durch ständige Verbesserung der Geräte und Verfahren, so daß gegenwärtig unter Produktionsbedingungen bei Feldeffekttransistoren Gatelängen von 1 m bei IS und von 0,25 m bei diskreten Bauelementen erreicht werden. Die m.S. ist in den einzelnen Strukturierungsebenen unterschiedlich. Neben technologischen erschweren halbleiterphysikalische Probleme (z. B. Schmal- und Kurzkanaleffekte bei MOSFET) die Verringerung der Strukturabmessungen (Skalierung) der Bauelemente einer IS.
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