Engl. Abk. für statte random access memory, statischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff RAM, bei dem die gespeicherten Informationen (bei Anliegen der Betriebsspannung) beliebig lange ohne Verlust erhalten bleiben. S. haben als Speicherzellen Flipflops, die bei neuen S. aus vier Transistoren aufgebaut sind. S. sind gegenüber den DRAM ohne zusätzliche Schaltungsmaßnahmen zum Datenerhalt einsetzbar. Sie haben jedoch einen höheren Leistungsverbrauch und einen höheren Flächenbedarf je Speicherzelle (vier Transistoren bei S. gegenüber einem bei DRAM).
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