Form der Hybrid-Technik, bei der diskrete Bauelemente und oder monolithische IS (IS, monolithische) mittels einer Schichtschaltung zu einer Funktionseinheit, der Hybrid-IS, vereint werden. Die Schichtschaltung bildet das Verbindungsschema und enthält gleichzeitig zusätzlich benötigte Widerstände, Spulen und Kondensatoren. Die einzufügenden, fast ausschließlich aktiven Bauelemente können entweder mit Gehäuse oder als Chip eingesetzt werden. Mit Hilfe der S. kann man die Vorteile der Schichtschaltungen (hohe Präzision, Linearität und Temperaturstabilität) mit denen der auf Basis verschiedener Halbleitertechniken hergestellten Bauelemente zu solchen Eigenschaften der entstehenden Hybrid-IS koppeln, die z. Z. weder mit den monolithischen Techniken (Bipolartechnik, Unipolartechnik) noch mit den Schichttechniken allein realisierbar sind. Man unterscheidet zwischen S. auf der Basis von Dünnschichtschaltungen (Schichtdicke kleiner als 1 m) und von Dickschichtschaltungen (Schichtdicke wesentlich größer als 1 m), wobei die Dickengrenze von 1 m willkürlich gezogen ist und keine physikalische Grenze darstellt.
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