Polykristallines Silicium. Aus einer Vielzahl mikroskopisch kleiner Kristalle bestehendes Silicium, das Ausgangsprodukt für die Kristallzüchtung ist und als Schicht auf dem Wafer zur Herstellung von Leitbahnen verwendet wird. Meist werden dotierte ( Dotierung) Schichten aus P. durch CVD abgeschieden. Durch Strukturierung werden Leitbahnen und Gateelektroden fr MOSFET) hergestellt. Der Einsatz von P. war eine Voraussetzung für selbstjustierende Verfahren in der MOS-Technik und ermöglichte außerdem den Übergang zu Mehrebenenleit-bahnen, da P. die bei der Bauelementefertigung vorkommenden Temperaturen schadlos übersteht. Der relativ hohe Leitungswiderstand von P. behindert die weitere Strukturverkleinerung (VLSI). Daher wird P. teilweise durch Schwermetalle, Silicide oder Doppelschichten aus P. und Siliciden abgelöst.
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