Feldeffekttransistor, bei dem ein Fluß von Defektelektronen im -r Kanal (p-Kanal) zwischen den p-leitenden Gebieten von Source undDrain durch das am Gate anliegende Potential gesteuert werden kann. Der Begriff des p. wird fast ausschließlich bei MOSFET benutzt und ein MOSFET mit einem p-Kanal üblicherweise als PMOS-Transistor bezeichnet. Die p. können entweder als Depletion-oder Enhancement-Transistoren ausgebildet werden.
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