Techniklexikon

metallorganische Gasphasenepitaxie

metal organic vapour phase epitaxy, MOVPE, Epitaxie-Verfahren, das zur Herstellung dünner Halbleiterschichten, hauptsächlich bei III-V und II-VI Materialien, eingesetzt wird. Die metallorganische Gasphasenepitaxie ist eine spezielle Form der chemischen Gasphasenabscheidung, bei der ein Quellenmaterial als metallorganische Verbindung vorliegt, z.B. Trimethylgallium (TMG, Ga(CH₃)₃) beim Wachstum von Ga-haltigen Verbindungen. Als Ausgangsstoff für die Elemente der fünften Hauptgruppe werden meist Hydride, z.B. AsH₃ oder PH₃, eingesetzt. Die MOVPE arbeitet bei Drücken von 10³ Pa-10⁵ Pa, d.h. es liegt eine viskose, hydrodynamische Strömung vor. Das Wachstum in der MOVPE ist durch komplizierte Wechselwirkungen zwischen Gasphasenreaktionen und Oberflächenreaktionen bestimmt. Industriell wird die MOVPE zur Herstellung von III-V-Halbleiter-Bauelementen eingesetzt, insbesondere im Bereich der Optoelektronik und der schnellen Heterobipolar-Transistoren. (Molekularstrahlepitaxie, metallorganische Molekularstrahlepitaxie)