multiple scattering, prozess, bei dem ein Teilchen nacheinander mehrere Streuzentren passiert, wobei sich durch elastische Streuung jedesmal Richtung und Energie des Teilchens ändern. Sie ist die Ursache der Energieaufweitung beim Durchgang von Teilchen durch Materie. Der Gesamtenergieverlust der Teilchen wird durch die Bethe-Bloch-Formel beschrieben. Überschreitet der Energieverlust eines eindringenden Teilchens die Ionisierungsenergie bzw. Bindungsenergie eines im Target gebundenen Atoms, können Elektronen bzw. Ionen aus dem Material herausgelöst werden, die in einem Detektor als Störsignal sichtbar werden. Wird dabei die kinetische Energie des eingedrungenen Teilchens aufgezehrt, verbleibt es als Fremdatom im Target. In der Halbleitertechnik nutzt man dies zur Dotierung von Halbleitern aus.
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