Übergang zwischen zwei unterschiedlichen Halbleitern mit gleichartiger (»isotyper«) Dotierung. Durch den Angleich der Fermi-Energie verbiegen sich die Bänder an der Kontaktstelle derart, dass das Fermi-Niveau im Leitungsband des Halbleiters mit geringerer Bandlücke liegt. Hier stellt sich also eine Anreicherungs-Raumladungszone ein. Dieser Ladungsüberschuss wird durch eine Verarmungszone im Halbleiter mit der grösseren Bandlücke kompensiert. Falls ein Halbleiter nur schwach dotiert ist, spricht man von Modulationsdotierung.
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