Techniklexikon

Huang-Rhys-Faktor

ein Mass für die Stärke der Wechselwirkung zwischen einem an eine Störstelle gebundenen Elektron und den Phononen des Kristalls. Der Huang-Rhys-Faktor gibt die Zahl der im Mittel bei einem Elektronenübergang emittierten Phononen an. Er kann direkt aus der Stokes-Verschiebung D zwischen Absorptions- und Emissionsbande, die zum gleichen elektronischen Übergang gehören, bestimmt werden: . Dabei ist  die Energie der Phononen, die bei der Wechselwirkung dominieren. Der Huang-Rhys-Faktor erreicht bei einigen Störstellen in Alkalihalogenidkristallen Werte über 10 (z.B. für das F-Zentrum).