Techniklexikon

Elektronenstrahl-Ionenquelle

Electron Beam Ion Source, EBIS, eine in den Jahren 1967/68 von E.D. Donets eingeführte spezielle Ionenquelle, in der durch wiederholte Elektronenstossionisation höchstgeladene Ionen erzeugt werden können. Die Ionen werden durch die Potentialverteilung innerhalb der Quelle (in radialer Richtung durch das Potentialgefälle des Elektronenstrahls selbst, in axialer Richtung durch zusätzlich eingebrachte Blenden) im Bereich des Elektronenstrahls gehalten (eingefangen), bis sie den gewünschten Ladungszustand erreicht haben. Mit dieser Methode konnten Ionen bis zu U⁹²⁺ erzeugt werden. Die Extraktion der geladenen Teilchen kann durch eine Absenkung der Potentialbarriere in axialer Richtung erreicht werden. Die Anzahl der Ladungen pro Puls ist jedoch begrenzt und bewegt sich im Bereich von 10³-10¹⁰.