Grundschaltung des Feldeffekttransistors, bei der der Drain-Anschluss der Bezugpunkt ist und das Signal am Gate liegt, analog zur Kollektorschaltung des Bipolar-Transistors. Der Arbeitswiderstand ist am Drain angeschlossen, wo das Ausgangssignal abgenommen wird. Drain-Schaltungen werden hauptsächlich zur Impedanzwandlung eingesetzt.
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