Dotieren
Autor:
Irene Kramer-Schwenk
Irene Kramer-Schwenk
Gezieltes Einbringen einer genau festgelegten Menge von Fremdatomen in hochreines Halbleiter-Grundmaterial, um dadurch einen gewünschten Grad elektr. Leitfähigkeit zu erzielen. Eine typische Verunreinigungskonzentration ist 1 Fremdatom auf 1010 Atome des Grundmaterials. Durch Einlagerung vom Akzeptoren ergibt sich p-Material, von Donatoren nMaterial (Halbleiter).
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