Diffusionsprofil
Autor:
Karl-Wilhelm Steinfieber
Karl-Wilhelm Steinfieber
Verteilung der Dotanten im Halbleiter, die bei der Dotierung durch Diffusionsverfahren entsteht und die das Dotierungsprofil mitbestimmt. Bei Hochtemperaturschritten (Diffusionsverfahren, Oxydation) werden die Dotanten in die Kristalltiefe verteilt. Dotantenvertei-lungen mit der Lage der Maximalkonzentration in der Kristalltiefe sind durch Epitaxie nach Diffusionsdotierung möglich (SBC-Verfahren).
Techniklexikon.net
Das freie Technik-Lexikon. Fundierte Informationen zu allen Fachgebieten der Ingenieurwissenschaften, für Wissenschaftler, Studenten, Praktiker & alle Interessierten. Professionell dargeboten und kostenlos zugängig.
Techniklexikon
Modernes Studium der Physik sollte allen zugängig gemacht werden.