Materialabtrag durch Beschuss mit beschleunigten Clusterionen (Clusterphysik).
Die Clustererosion unterscheidet sich von dem entsprechenden atomaren Prozess, dem Sputtern, durch eine geringere Eindringtiefe der Clusterionen in die Unterlage und eine höhere Sputterausbeute, d.h. je Clusteratom wird eine grössere Anzahl von Atomen aus der Unterlage herausgeschlagen als bei dem vergleichbaren Aufprall eines einzelnen Ions. Auch die Winkelverteilung der abgetragenen Atome ist unterschiedlich: Computersimulationen ergeben, dass im Gegensatz zum atomaren Sputtern bei der Clustererosion ein Grossteil der Atome unter einem kleinen Winkel zur Oberfläche herausgeschlagen wird. Dieser Materialabtrag in lateraler Richtung wird als Ursache dafür vermutet, dass mit Hilfe von beschleunigten Edelgas-Clusterionen eine Vielzahl von Oberflächen, unter anderem auch Diamantfilme, sehr effektiv geglättet werden können.
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