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Unijunction-Transistor

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Autor:
Martina Wagner

Engl., Transistor mit einem Übergang. Doppelbasisdiode. Halbleiterbauelement, bei dem die Leitfähigkeit eines Halbleitergebiets durch die Injektion von Minoritätsträgern mittels eines pn- Übergangs beeinflußt wird. Der Aufbau eines U. ist im Bild a) dargestellt. Man erhält unter bestimmten Bedingungen einen negativen differentiellen Widerstand (Kennlinie, Bild b). U. werden zur Schwingungserzeugung bzw. Entdämpfung von Schwingkreisen angewendet.

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