Elektronik, Halbleiterphysik, Halbleiter-Heteroschicht, die auf Grund des Schottky-Effekts Elektronen emittiert. Dieser Emissionsmechanismus tritt in Heterostrukturen auf, die einen p-n-Übergang bilden, wobei die p- und die n-Schicht aus verschiedenen Verbindungen aufgebaut sind. Wird ein elektrisches Feld an den Übergang angelegt, so kommt es zur Emission von Elektronen aus der p- in die n-Schicht. Die Elektronen können dann weiter beschleunigt werden und es kann zur Stossionisation des Gitters oder zur Rekombination kommen. Dieser Prozess wird in Festkörper-Lumineszenz-Methoden eingesetzt.
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