Energietechnik, regenerierbare Energiequellen, Photo Current Voltage Decay, Methode zur Bestimmung von Solarzellen-Parametern wie Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit am Emitter und an der Rückseite, Emittersättigungsstrom und Basisdiffusionslänge. Die Probe wird mit zwei gepulsten Laserstrahlen beleuchet, deren Licht unterschiedliche Eindringlängen in der Probe hat und daher eine separate Untersuchung der (oberflächennahen) Emitterschicht sowie des Basismaterials erlaubt. Die gepulste Beleuchtung mit einem Nd:YAG-Laser bei 1 064 nm erlaubt (im Falle des Siliciums) wegen der grossen Eindringtiefe von 1 000 mm eine Untersuchung der gesamten Basis, während ein Diodenlaser bei 904 nm mit einer Eindringtiefe von 31 mm eine selektive Untersuchung des Emitters erlaubt.
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