p-Kanal-MOSFET
Autor:
Julian Schultheiss
Julian Schultheiss
Elektronik, Halbleiterphysik, ein MOS-Feldeffekttransistor mit p-dotierten Drain und Source in einem n-Substrat. Je nachdem, ob bei der Gate-Source-Spannung 0 V ein leitender Kanal vorhanden ist oder nicht, unterscheidet man zwischen selbstleitendem Typ (Verarmungstyp, depletion type) und selbstsperrendem Typ (Anreicherungstyp, enhancement type).
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