Power MOS, Feldeffekttransistor, bei dem gegenüber den normalen MOS-Feldeffekttransistoren mit Strömen von maximal einigen 10 mA durch eine DMOS-Struktur (doppeltdiffundierte MOS-Struktur) im Prinzip grossflächig viele Einzel-MOSFETs parallelgeschaltet werden. Der Drain-Anschluss ist dabei auf die Chip-Unterseite verlegt, so dass eine gute Wärmeabfuhr gegeben ist.
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