Bei strahlungsempfindlichen Bauelementen Ausdruck für die Größe des durch die Strah lung verursachten elektrischen Stroms, bezogen auf die Größe der Strahlung in Abhängigkeit ihrer Wellenlänge. Die s. E. S ist definiert als Quotient des Fotostroms F und der Beleuchtungsstärke E: Für die praktische Anwendung von Fotodioden oder Fototransistoren ist i. allg. nur die Abhängigkeit der s. E. von der Wellenlänge von Interesse. Die wellenlängenabhängige Darstellung der relativen - auf das Maximum bezogenen - s. E. wird als Empfindlichkeitskurve bezeichnet. Der Bereich der s. E. von Silicium-Fototransistoren beträgt etwa 600 nm von 450 nm bis 1050 nm Wellenlänge. Für spezielle Anwendungen wird die s. E. durch optische Korrekturfilter verändert.
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