Engl. Abk. für bipolar junction field effect transistor, Bipolar-SFET-Bauelementestruktur. Bauelementemischtechnik. bei der Bi polartransistoren mit Sperrschicht-Feldeffekt transistoren monolithisch integriert sind. Die B. wird z. B. angewendet, um spezielle Operationsverstärker mit sehr hohem Eingangswiderstand aufzubauen. Hierzu dient ein SFET, der darüber hinaus ein besonders geringes Rauschen aufweist (BI-FET-Verstärker).
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